Incisione al plasma (Plasma etching)
L’incisione al plasma (Plasma etching) è una tecnica avanzata di lavorazione dei materiali che sfrutta le proprietà del plasma per rimuovere in maniera selettiva porzioni di un substrato solido. Si tratta...
Crescita epitassiale
La crescita epitassiale rappresenta una delle conquiste più rilevanti della scienza dei materiali e della fisica dello stato solido, in quanto consente la fabbricazione controllata di strati cristallini con proprietà strutturali,...
Arseniuro di indio
L’arseniuro di indio è un semiconduttore di tipo n a banda stretta costituito da arsenico e indio con formula AsIn noto per la sua elevata mobilità elettronica e comunemente utilizzato per...
Fosfuro di boro
Il fosfuro di boro BP è un semiconduttore caratterizzato da elevata durezza, refrattario con una temperatura di fusione a pressione ambiente pari a 1100 °C e poco comprimibile con eccezionale stabilità...
Semiconduttori II-VI
I semiconduttori II-VI sono costituiti da un metallo del gruppo 2 o 12 della tavola periodica ovvero da metalli alcalino-terrosi o elementi del gruppo 12, chiamati in precedenza gruppi IIA e...
Semiconduttori III-V
I semiconduttori III-V sono costituiti da elementi appartenenti ai gruppi III e V della Tavola Periodica. Questa notazione utilizza le vecchie dizioni dei gruppi in quanto il Gruppo 3 detto Gruppo...
il 27 Agosto 2025