Amplificatore

il 3 Marzo 2026

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Lโ€™amplificatore รจ un dispositivo elettronico progettato per aumentare lโ€™ampiezza di un segnale elettrico mantenendone inalterate le caratteristiche fondamentali, come frequenza, forma dโ€™onda e contenuto informativo. In altre parole, lโ€™amplificatore non modifica...

Nanofili

il 6 Agosto 2025

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I nanofili rappresentano una delle scoperte piรน affascinanti e promettenti nel campo delle nanotecnologie e della scienza dei materiali. Queste sottili strutture, il cui diametro รจ dellโ€™ordine dei nanometri (miliardesimi di...

Arseniuro di indio e gallio

il 22 Giugno 2025

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Lโ€™arseniuro di indio e gallio (Inโ‚“Gaโ‚โ‚‹โ‚“As) รจ un semiconduttore ternario che ha rivoluzionato il panorama della microelettronica e dellโ€™optoelettronica, affermandosi come materiale chiave in applicazioni che spaziano dalle telecomunicazioni alla visione...

Sensori ottici

il 13 Giugno 2025

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I sensori ottici sono dispositivi che sfruttano lโ€™interazione della luce con la materia per rilevare, misurare e interpretare fenomeni fisici, chimici o biologici. La loro storia affonda le radici nei primi...

Crescita epitassiale

il 8 Giugno 2025

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La crescita epitassiale rappresenta una delle conquiste piรน rilevanti della scienza dei materiali e della fisica dello stato solido, in quanto consente la fabbricazione controllata di strati cristallini con proprietร  strutturali,...

Nitruro di indio

il 28 Gennaio 2025

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Il nitruro di indio InN รจ un semiconduttore III-V che ha un band gap di 0.7 eV che corrisponde alla regione del vicino infrarosso dello spettro elettromagnetico della luce con un...

Arseniuro di indio

il 14 Dicembre 2024

6 minutes di lettura

L’arseniuro di indio รจ un semiconduttore di tipo n a banda stretta costituito da arsenico e indio con formula AsIn noto per la sua elevata mobilitร  elettronica e comunemente utilizzato per...

Fosfuro di boro

il 13 Dicembre 2024

9 minutes di lettura

Il fosfuro di boro BP รจ un semiconduttore caratterizzato da elevata durezza, refrattario con una temperatura di fusione a pressione ambiente pari a 1100 ยฐC e poco comprimibileย  con eccezionale stabilitร ...

Arseniuro di boro

il 11 Dicembre 2024

5 minutes di lettura

Lโ€™arseniuro di boro รจ un semiconduttore con una elevata conduzione termica fino a circa 1300โ€‰Wโ€‰mโ€“1โ€‰Kโ€“1 simile a quelle del silicio e superiore alla maggior parte dei semiconduttori e dei metalli piรน...