Tellururo di gallio

Il tellururo di gallio (II) GaTe è un semiconduttore di tipo p su cui si sono rivolti gli studi a causa delle sue proprietà e dei suoi possibili impieghi nel campo dell’industria elettronica.

Il tellururo di gallio in 2D è stato ottenuto dagli elementi tramite deposizione chimica da vapore (CVD); transistor ad effetto di campo realizzati con il tellururo di gallio hanno mostrato una considerevole risposta a seguito di irradiazione di luce con lunghezza d’onda compresa tra i 350 e gli 800 nm.

Inoltre, i fotorivelatori hanno mostrato un’eccellente flessibilità meccanica e proprietà elettriche stabili in diversi stati di flessione, rivelando applicazioni promettenti in futuri dispositivi optoelettronici flessibili.

I semiconduttori costituiti da strati monoatomici possono essere suddivisi in due categorie:

  • Dicalcogenuri di metalli di transizione  (TMD) in cui uno strato di atomi di metalli di transizione come Mo o W è interposto tra due strati di atomi di calcogeno
  • Calcogenuri di elementi del Gruppo 13 o 14 che si presentano nella forma X-M-M-X essendo X un elemento come il gallio o l’indio e X il calcogeno

Il tellururo di gallio è l’ultimo membro della famiglia dei calcogenuri di elementi del Gruppo 13 o 14 mostra anisotropia nel piano che è di fondamentale importanza dato che molte proprietà fisiche ed elettroniche dipendono dall’orientamento dei cristalli nel materiale. 

Tali proprietà comprendono la mobilità elettrica, l’emissione di fotoluminescenza e le prestazioni termoelettriche sono legate al comportamento di elettroni, alle vibrazioni del reticolo.

Il tellururo di gallio è un materiale ideale per realizzare fotorivelatori che funzionano nel campo della luce visibile e potrebbe anche essere utilizzato in altre applicazioni come celle solari, rivelatori di radiazioni e dispositivi termoelettrici.

 

 

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Author: Chimicamo

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